高迁移率石墨烯环形 p-n 结器件中的几何干涉
介观与纳米尺度物理
2022-01-19 v1
摘要
在对石墨烯环形 pn 结器件施加两个独立栅极电压时，我们观察到其电阻中出现了干涉现象。我们仔细检视了所观察到的电阻图样，并确定这些图样所产生的峰的位置与温度和磁场无关。此外，这些图样不能归因于 Aharonov-Bohm 振荡、结处的法布里-珀罗干涉或 moiré 势。我们将该器件的数据与另一采用传统霍尔条几何制备的器件的数据以及量子输运模拟数据进行了比较。由于两个器件属于不同的拓扑类，在相应测量数据中观察到的细微差异表明，所观测到的几何干涉图样最可能的来源是量子瘢痕。
关键词
引用
@article{arxiv.2112.14614,
title = {Geometric interference in a high-mobility graphene annulus p-n junction device},
author = {Son T. Le and Albert F. Rigosi and Joseph A. Hagmann and Christopher Gutierrez and Ji Ung Lee and Curt A. Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.14614},
year = {2022}
}