“电子掺杂”T'系铜氧化物的通用相图
超导电性
2015-05-13 v1
摘要
我们利用金属有机分解法制备的薄膜，研究了电子掺杂超导体 Nd2-xCexCuO4 的通用相图。经过仔细的脱氧处理以去除间隙 Oap 原子后，我们发现随着 x 从 0.15 减小到 0.00，Tc 从 24 K 单调增加到 29 K，这表明其与先前的块体相图截然不同。基于 Oap “杂质”对 T'系铜氧化物超导性和磁性的巨大影响，我们讨论了这些结果的含义。随后我们得出结论，我们的结果代表了氧化学计量比为 Nd2-xCexCuO4 的通用相图。
引用
@article{arxiv.0811.1857,
title = {Generic phase diagram of "electron-doped" T' cuprates},
author = {Osamu Matsumoto and Aya Utsuki and Akio Tsukada and Hideki Yamamoto and Takaaki Manabe and Michio Naito},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.1857},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures; International Symposium on Superconductivity (ISS) 2008