Sb掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体纳米带中的栅压调制量子干涉振荡
介观与纳米尺度物理
2020-11-17 v1 材料科学
摘要
拓扑绝缘体纳米带（TI NRs）为探索拓扑表面态的相位相干量子电子输运提供了有用平台，这对拓扑量子器件的发展至关重要。当施加轴向磁场时，TI NR表现出磁通周期为 h/e 的磁电导（MC）振荡，即阿哈罗诺夫-玻姆（AB）振荡，以及 h/2e 的振荡，即阿尔茨胡勒-阿拉诺夫-斯皮瓦克（AAS）振荡。在此，我们展示了作为栅压函数的Sb掺杂BiSe TI NR中AB和AAS振荡的广泛研究，揭示了相位交替的拓扑AB振荡。此外，对Vg依赖的MC曲线进行的系综平均快速傅里叶变换分析表明，量子干涉振荡振幅在狄拉克点附近受到抑制，这归因于低载流子密度区域内相位相干长度的抑制。对垂直MC曲线的弱反局域化分析证实了TI NR中狄拉克点附近相干长度受抑的观点。
引用
@article{arxiv.2010.02100,
title = {Gate-Modulated Quantum Interference Oscillations in Sb-Doped Bi2Se3 Topological Insulator Nanoribbon},
author = {Tae-Ha Hwang and Hong-Seok Kim and Yasen Hou and Dong Yu and Yong-Joo Doh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.02100},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 3 figures