石墨烯中栅极调控的Kondo屏蔽：量子临界性与电子-空穴不对称性
强关联电子
2010-05-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
中性石墨烯中的磁性杂质实现了赝能隙Kondo模型，该模型在屏蔽和未屏蔽杂质矩相之间显示量子相变。在此，我们详细研究了具有有限化学势μ的赝能隙Kondo模型。虽然载流子掺杂在最低能量下恢复了常规Kondo屏蔽，但量子临界不动点的性质在很大参数范围内影响行为。最重要的是，Kondo温度T_K在电子和空穴掺杂之间表现出极端不对称性。在临界点，根据μ的符号，T_K要么遵循标度预测T_K ~ |μ|（具有普适前因子），要么遵循T_K ~ |μ|^x（x = 2.6）。这种电子和空穴掺杂之间的不对称性延伸到量子临界区域之外，并且还意味着两种μ符号下隧穿谱形状的定性差异。
引用
@article{arxiv.1002.2215,
title = {Gate-controlled Kondo screening in graphene: Quantum criticality and electron-hole asymmetry},
author = {Matthias Vojta and Lars Fritz and Ralf Bulla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2215},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 6 figs; (v2) extended discussion of RG flow, final version as published