量子点中电子占据数的全计数统计
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v2 强关联电子
摘要
受近期实时电子计数实验的启发，我们评估了弱耦合到源极和漏极引线的量子点内部电子数概率分布的全计数统计（FCS）。当没有与引线化学势接近的量子点态时，会出现非高斯指数分布。我们提出了电流与电子数联合概率分布的测量方案，该测量揭示了这两个可观测量之间的关联。我们还表明，随着隧穿强度的增加，量子涨落会定性改变电子数的概率分布。在本文中，我们推导了几种情况下联合概率分布的累积量生成函数（CGFs）。采用Keldysh生成泛函方法，获得了共振能级模型和中间电导区单电子晶体管的CGFs。在马尔可夫近似下，通过主方程方法的扩展[D. A. Bagrets, and Yu. V. Nazarov, Phys. Rev. B {\bf 67}, 085316 (2003)]，给出了联合概率分布CGF的一般形式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0604082,
title = {Full Counting Statistics for Number of Electrons Dwelling in a Quantum Dot},
author = {Yasuhiro Utsumi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0604082},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 6 figures, formal part extended; to appear in Phys. Rev. B