Mott 绝缘体中从“弱”到“强”的空穴禁闭
强关联电子
2019-11-28 v6
摘要
我们研究伊辛反铁磁体中单个空穴的问题，并利用磁子展开与解析方法确定其波函数在磁子基下的展开系数。在一维情形中，空穴在势阱中“弱”禁闭，且磁子系数在无弦势时呈指数衰减。这一行为与平面二维情形形成鲜明对比，在后者中，空穴被弦势“强”禁闭，且磁子系数呈超指数衰减。后者在此被认定为掺杂反铁磁体中弦的指纹，可在二维掺杂 Hubbard 模型的数值或冷原子模拟中被识别。最后，我们将一维与二维情形之间的差异归因于磁子-磁子相互作用在一维自旋系统中至关重要。
引用
@article{arxiv.1809.07120,
title = {From "Weak" to "Strong" Hole Confinement in a Mott Insulator},
author = {Krzysztof Bieniasz and Piotr Wrzosek and Andrzej M. Oles and Krzysztof Wohlfeld},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.07120},
year = {2019}
}
备注
slightly revised version (following Referee's comments includes correct Fig. 3 and updated discussion of Trugman processes), (re)submission to SciPost