掺杂 Ising 模型中热自旋-电荷去禁闭的动力学特征

强关联量子系统（如掺杂反铁磁 Mott 绝缘体）中电荷输运的潜在机制仍知之甚少。在此，我们研究了二维 (2D) Ising 反铁磁体中初始局域空穴在可变温度下的膨胀动力学。结合经典蒙特卡洛与截断基方法，我们揭示了两个动力学上不同的区域：临界温度 $T^*$ 以下的自旋-电荷禁闭区，以缓慢扩散为特征；以及 $T^*$ 以上的自旋-电荷去禁闭区，以无界扩散膨胀为特征。我们发现的去禁闭温度 $T^*\approx 0.65 J_z$ 接近 2D 中 Ising 背景的 N\'eel 温度 $T_{\rm N} = 0.567 J_z$，但我们预期在更高维度中 $T^* < T_{\rm N}$。在两种区域中，我们发现所考虑时间尺度上可动空穴不与 Ising 自旋背景热化，表明自旋与电荷自由度间有效耦合较弱。我们的结果可由有效的 parton 模型定性理解，并可在最先进的量子气体显微镜中实验验证。