从带绝缘体到 Mott 绝缘体的一维模型
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们推导了 Egami、Ishihara 和 Tachiki 于 1993 年在 Science 杂志上提出的铁电钛钛矿晶体管的一维模型的相图。我们表明，共价性、离子性与强相关性之间的相互作用导致出现自发二聚化相，从而将弱耦合带绝缘体与强耦合 Mott 绝缘体相隔开。从带绝缘体到二聚化相的转变被识别为一次 Ising 临界点。该临界点上电荷间隙消失，光学导电率按 发散。自旋激发在第二个相变以上 Mott 绝缘体相中仍保持无间隙。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904319,
title = {From band insulator to Mott insulator in one dimension},
author = {Michele Fabrizio and Alexander O. Gogolin and Alexander A. Nersesyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904319},
year = {2009}
}
备注
4 pages LaTex (RevTex) and 1 postscript figure included by epsf