手性孤子晶格的形成

手性孤子晶格（CSL）是一种由平行等间隔排列的畴壁组成的晶格结构，由于源自手性反常的拓扑项，其在背景磁场和有限（重子）化学势存在下在能量上是稳定的。我们基于Nambu-Goto型有效理论，将CSL描述为被涡旋或弦环包围的畴壁圆盘层，研究其从真空态的形成过程。我们表明，当磁场足够强时，畴壁通过量子隧穿成核。我们评估了其成核率，并确定了使成核率不再被指数压低的临界磁场强度。我们将此分析应用于两味QCD中的中性π介子，以及在外加磁场下具有有限（重子）化学势的类轴子粒子（ALPs）。在前一种情况下，尽管CSL态比真空态在能量上更稳定，且成核率在足够强的磁场下变大，但其仍不足以使畴壁成核不被指数压低并促进发生，除非遭受带电π介子涨落的快子不稳定性。在后一种情况下，我们确认ALPs的有效相互作用通常包含CSL态在能量上受青睐所需的拓扑项。我们表明，若系统的磁场强度和化学势略大于轴子衰变常数尺度，则ALP CSL的形成会被促进。