无反位边界(vicinal) YBa2Cu3O7-d 薄膜中通道线阵列的结构与行为
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
对 YBa2Cu3O7-d 薄膜进行了场角依赖临界电流、磁光显微镜和高分辨率电子显微镜研究。高分辨率电子显微镜图像显示，所研究的薄膜表现出良好的等轴晶生长，反位边界和堆积错位密度较低。薄膜中形成的任何反位边界(APBs)在薄膜基底界面处快速愈合，而非延伸至薄膜整体厚度。与在烘烤基底上生长的vicinal薄膜(含高密度反位边界)不同，磁光成像显示所研究薄膜中不存在纤维状通道渗透。然而，通道渗透呈不对称性。这与通道线由倾斜 a-b 面固着以及局部场与 a-b 面的夹角对固着力的依赖有关。场角依赖临界电流测量显示，此前在vicinal薄膜中报告的显著通道化效应。通过结合三种互补表征技术的结果，表明含扩展APB的薄膜的临界电流行为显著不同于APB丰富薄膜。这归因于APB作为Josephson串联通道在a-b面之间的强固着中心。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301500,
title = {Flux line lattice structure and behaviour in anti-phase boundary free vicinal YBa2Cu3O7-d thin films},
author = {J. H. Durrell and S. H. Mennema and Ch. Jooss and G. Gibson and Z. H. Barber and H. W. Zandbergen and J. E. Evetts},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301500},
year = {2007}
}
备注
Submitted to Journal of Applied Physics