脉冲场磁化中的磁通跳跃
超导电性
2015-12-04 v1
摘要
磁通跳跃导致熔融生长HTS环在脉冲场磁化中屏蔽电流降低10-20倍。由于脉冲持续时间短于温度弛豫时间(<<1 s)，场脉冲后感生的环流及相关俘获场很小。此外，环孔中的残余俘获场方向与外加场相反。研究表明，在相对较高的平均临界电流密度下感生环流的小值与磁通运动的窄角区域(约7度)有关。
引用
@article{arxiv.1512.00986,
title = {Flux jumps at pulsed field magnetization},
author = {V. S. Korotkov and E. P. Krasnoperov and A. A. Kartamyshev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.00986},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures