用于电子器件的含石墨烯量子点氟化石墨烯薄膜
介观与纳米尺度物理
2022-05-03 v1 材料科学
摘要
本工作分析了含石墨烯量子点（GQDs）的氟化石墨烯（FG）薄膜的载流子输运、非平衡电荷弛豫以及电子结构。含GQDs的FG薄膜是通过在氢氟酸水溶液中化学官能化制备的。在FG势垒内部检测到高达200 mV范围内的电势起伏的高涨落。提出了一种唯象表达式，描述非平衡电荷从GQDs发射的时间对量子限制能级和薄膜厚度（GQDs间的势垒参数）的依赖关系。官能化程度的增加导致GQD尺寸减小、GQD对载流子输运的影响消除以及非平衡电荷的弛豫。对含GQDs的FG薄膜电子性质的研究揭示了在氟化度相对较高的薄膜中存在单极阻变效应，以及在氟化度较低的类晶体管结构中存在高电流调制。据信含GQDs的二维薄膜在各种电子应用（非易失性存储器、具有光控和逻辑元件的二维互连）中具有相当大的潜力。
引用
@article{arxiv.2205.00205,
title = {Fluorinated graphene films with graphene quantum dots for electronic applications},
author = {I. V. Antonova and N. A. Nebogatikova and V. Ya. Prinz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.00205},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 6 figures