强关联非平衡电路的涨落耗散关系
介观与纳米尺度物理
2020-07-22 v2 统计力学
强关联电子
摘要
我们考虑在初始非平衡（OE）稳态之上附加直流驱动的强关联量子电路。在微扰方法下，我们推导出高频电流噪声的统一 OE 涨落关系，其被证明完全由零频噪声与直流电流决定。我们将其应用于由 OE 源驱动、任意不可压缩填充因子下的分数量子 Hall 效应，而无需底层模型的知识。我们表明此类 OE 关系提供了稳健的方法，用于明确确定分数电荷或用于探索任意子统计的任意子碰撞器中的关键相互作用参数。
引用
@article{arxiv.2004.08130,
title = {Fluctuation dissipation relations for strongly correlated out-of-equilibrium circuits},
author = {Ines Safi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.08130},
year = {2020}
}
备注
To be published in Physical Review B, Rapid Communications. 11 pages, including "Supplemental Material". 2 figures. Few changes; two references added