最佳掺杂SmFeAsO(1-x)中的涨落电导率和赝能隙
超导电性
2016-09-08 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报告了基于电阻实验对Tc = 55 K的铁基超导体SmFeAsO0.85中涨落电导率(FLC)和赝能隙(D*)的分析。在FLC分析中，发现了典型的铜氧化物中常见的2D-3D (MT-AL)交叉，但随后伴随着增强的MT涨落贡献。利用交叉温度To确定了沿c轴的相干长度Xc(0)。观察到相当特殊的D*(T)依赖关系，具有两个特征温度，随后在约125 K处出现最小值。在对应于SDW有序的Ts = 147 K以下，D*(T)线性下降至TAF = 133 K。这最后一个特性可能归因于FeAs平面中的反铁磁(AF)有序。我们认为所发现的行为与铁基化合物的特定电子构型密切相关。
引用
@article{arxiv.1002.2306,
title = {Fluctuation conductivity and pseudogap in optimally doped SmFeAsO(1-x)},
author = {A. L. Solovjov and S. L. Sidorov and Yu. V. Tarenkov and A. I. D'yachenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.2306},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures