氮化多孔石墨烯的第一性原理研究
材料科学
2018-02-14 v1
摘要
氮化多孔石墨烯（NHG）因其半导体性质而备受关注。然而，其堆叠次序与缺陷性质尚未得到研究。在本快报中，首先研究了 NHG 的结构与堆叠性质。我们获得了最稳定的堆叠结构。随后，研究了块体与多层 NHG 的能带结构。讨论了应变对带隙与键合特征的影响。此外，我们研究了块体 NHG 中碳空位（VC）、碳间隙（Ci）、氮空位（VN）和氮间隙（Ni）等本征缺陷的形成机制。评估了这些本征缺陷的形成能与跃迁能级。
引用
@article{arxiv.1711.01395,
title = {First principles investigation of nitrogenated holey graphene},
author = {Cui-Yan Xu and Hai-Kuan Dong and Li-Bin Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.01395},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 7 figures