黄铜矿半导体 ZnSnP$_2$ 中位移电流的第一性原理计算
材料科学
2020-07-17 v2
摘要
体光伏效应在无反演对称的材料中产生本征光电流。位移电流是与构成电子能带的 Berry 相位相关的体光伏现象之一：由于价带与导带之间 Berry 联络的差异，光激发载流子在实空间中相干位移。铁电半导体与 Weyl 半金属已知展现此类非线性光学现象。此处我们考虑缺乏反演对称的黄铜矿半导体 ZnSnP 并计算其位移电流电导率。我们发现位移电流的幅度与其他铁电半导体上最近测量的值相当，且比铁酸铋大一个数量级。光学与位移电流电导率的峰值响应（主要来源于 P-3 与 Sn-5 轨道）位于带隙上方几个 eV 处。
引用
@article{arxiv.1911.03376,
title = {First principles calculation of shift current in chalcopyrite semiconductor ZnSnP$_2$},
author = {Banasree Sadhukhan and Yang Zhang and Rajyavardhan Ray and Jeroen van den Brink},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03376},
year = {2020}
}