弹弓式非顺序双电离在两电子概率分布上的指纹特征
原子物理
2020-02-12 v1
摘要
我们研究了在 400 nm 低强度近单周期激光脉冲驱动下 He 的双电离。使用三维半经典模型，我们辨识了主导非顺序双电离（NSDI）的路径。我们主要关注延迟路径，即一个电子在复合（recollision）之后以时间延迟电离。我们最近表明，主导延迟路径的机制依赖于强度。对于低强度，弹弓式 NSDI（slingshot-NSDI）是主导机制。在此，我们辨识了主导 NSDI 路径的两电子概率分布之间的差异。这使我们能够辨识两电子逃逸的性质，从而显著深入地理解弹弓式 NSDI。有趣的是，我们发现弹弓式 NSDI 的一个可观测指纹是两电子以较大且大致相等的能量逃逸。
引用
@article{arxiv.1904.03484,
title = {Fingerprints of slingshot non-sequential double ionization on two-electron probability distributions},
author = {Georgios Petros Katsoulis and Agapi Emmanouilidou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03484},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 5 figures