弹弓式非顺序双电离作为反关联双电子逃逸的门户
原子物理
2020-02-12 v3
摘要
在低于重碰阈值的强度下，我们表明：对于 400 nm 强驱动 He，重碰诱导激发、一个电子在重碰后快速逃逸而另一个电子通过库仑弹弓运动延时逃逸，是最重要的非顺序双电离机制之一。弹弓式 NSDI 是一种在宽泛低强度与脉冲时长范围内存在的普遍机制。反关联双电子逃逸是其显著标志。该机制为先前研究中获得的反关联双电子逃逸提供了另一种解释。
引用
@article{arxiv.1805.10057,
title = {Slingshot non-sequential double ionization as a gate to anti-correlated two electron escape},
author = {G. P. Katsoulis and A. Hadjipittas and B. Bergues and M. F. Kling and A. Emmanouilidou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.10057},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 3 figures