场诱导的纯凸排斥位错的运动

单个纯凸排斥位错的运动不仅仅是与其他位错相互作用的结果，还会受到外部场的作用。我们分析了在施加强度为 $H$ 的外部场时，纯凸排斥位错的运动行为。我们忽略回流效应，寻找稳态传播的模式。该稳态解表明，位错所在的区域被一个由强度为 $\pi$ 的半无限墙所界限。我们发现，纯凸排斥位错以速度 $v(H)$ 进入包含该墙的区域，其中速度 $v$ 随场强 $H$ 而变化，形式为 $H/|\log H|$，前提是磁性相干长度大于位错核心半径。当外部场在两个纯凸排斥位错的存在下施加时，它们的动力学行为将受到显著影响。我们计算了位错之间相对速度随距离和场强变化的数值关系。通过施加足够强度且方向恰当的外部场，可以克服纯凸排斥位错相互消除的自然趋势。