doped抗磁性体系中的虚构通量
强关联电子
2015-06-24 v1
摘要
在平面格点上具有自旋 1/2 电子的紧束缚模型中，完全偏极的铁磁自旋配置会产生一个由铁磁序参数组织的 skyrmion 电荷密度乘以 2π 的 apparent U(1) 通量。我们在此表明，对于抗磁性体系，存在两个“虚构”磁场，一个交错的和一个非交错的。交错拓扑通量每单元格可在 -π≤Φ≤π 之间变化，有效最近邻耦合常数几乎不变，而非交错通量的大小与第二个最近邻有效耦合的大小强烈耦合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108113,
title = {Fictitious fluxes in doped antiferromagnets},
author = {Stellan Ostlund and Martin Andersson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108113},
year = {2015}
}
备注
RevTeX, 5 pages including 4 figures