薄膜超导体中的 FFLO 态
超导电性
2009-11-13 v1 强关联电子
摘要
我们分析了平行磁场中薄超导膜内非均匀的 Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov (FFLO) 超导态。针对四方晶体对称性（与 CeCoIn相关，后者是形成 FFLO 态最可能的候选材料），由于轨道效应，我们预测 FFLO 临界场具有非常独特的面内角依赖性。在均匀超导态中，临界场应是各向同性的。磁场还会钉扎 FFLO 调制的方向，从而允许研究临界电流的各向异性。我们的计算揭示了 FFLO 态中存在强烈的临界电流各向异性，这与常规超导态形成鲜明对比。所预测的临界场和临界电流的特征各向异性可为 FFLO 相的形成提供明确的探测手段。
引用
@article{arxiv.0710.3613,
title = {FFLO state in thin superconducting films},
author = {A. Buzdin and Y. Matsuda and T. Shibauchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.3613},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 2 figures, to be published in Europhys. Lett