在反铁磁绝缘体CrOCl中构建Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov态
超导电性
2024-10-15 v1
摘要
超导体中的时间反演对称性破缺由外磁场或自发磁化引起，常导致非常规超导性质。由此，以具有非零总动量的库珀对为特征的常规Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov (FFLO)态，可由外磁场引起的塞曼效应实现。本文报道了利用NbSe2薄片的超导邻近效应，在少层反铁磁绝缘体CrOCl中观测到超导性。该超导性表现出约0.12 meV的极弱能隙，其面内上限临界场在低温下呈现FFLO态行为。我们的第一性原理计算表明，邻近诱导的超导性可能存在于含Cr空位或线缺陷的CrOCl层中。此外，FFLO态可由CrOCl层内固有的较大自旋分裂所诱导。我们的发现不仅展示了超导与磁性之间引人入胜的相互作用，也为通过本征时间反演对称性破缺与超导邻近效应构建FFLO态提供了一条可能路径。
引用
@article{arxiv.2311.00266,
title = {Constructing the Fulde-Ferrell-Larkin-Ovchinnikov state in antiferromagnetic insulator CrOCl},
author = {Yifan Ding and Jiadian He and Shihao Zhang and Huakun Zuo and Pingfan Gu and Jiliang Cai and Xiaohui Zeng and Pu Yan and Kecheng Cao and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Peng Dong and Yiwen Zhang and Yueshen Wu and Xiang Zhou and Jinghui Wang and Yulin Chen and Yu Ye and Jianpeng Liu and Jun Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.00266},
year = {2024}
}