拓扑绝缘体表面铁磁势垒诱导的负微分电导

我们从理论上研究了拓扑绝缘体表面铁磁势垒的负微分电导效应。由于铁磁势垒中费米面的形状和位置发生变化，输运过程可分为三种机制：完全透射、部分透射和阻塞透射。偏置电压可以引起输运过程从部分透射机制向阻塞透射机制的转变，从而产生巨大的负微分电导效应。采用适当的结构参数，电流-电压特性显示，电流的最小值可以在很宽的偏置电压范围内达到零，并且可以获得很大的峰谷电流比。