欠掺杂 LaFeAsO1-xFx 的费米面：由 de Haas-van Alphen 效应确定
超导电性
2010-09-09 v1
摘要
在此，我们提出了一项关于新发现的 LaFeAsO1-xFx 化合物的 de Haas-van Alphen 效应研究，以揭示与其反铁磁和超导相相关的费米面形貌，这对于理解其磁性、配对对称性和超导机制至关重要。计算和表面敏感测量提供了早期指导，但导致了相互矛盾的结果，因此需要对其体费米面进行直接的实验探测。在反铁磁 LaFeAsO1-xFx 中，我们观察到叠加在磁转矩信号上的振荡分量的傅里叶谱中的复杂图案，揭示了重构的费米面，其几何形状并未被能带结构计算完全描述。令人惊讶的是，在超导 LaFeAsO1-xFx（超导转变温度 Tc ~ 15 K）中也观察到了一些相同的频率，即费米面横截面积。虽然这可以归因于不均匀的 F 掺杂，但相应的有效质量相对于反铁磁化合物有大幅增强。相反，这意味着在 LaFeAsO1-xFx 系列相图的欠掺杂区域，超导和反铁磁性在同一费米面上微观共存。因此，dHvA 效应揭示了比能带结构计算所预测的更复杂的费米面形貌，而当前的超导配对方案正是基于这些计算，这可能是它们与磷化物类似物相比具有更高 Tc 的原因。
引用
@article{arxiv.1009.1408,
title = {Fermi-surface of underdoped LaFeAsO1-xFx as determined by the Haas-van Alphen-effect},
author = {G. Li and B. S. Conner and S. Weyeneth and N. D. Zhigadlo and S. Katrych and Z. Bukowski and J. Karpinski and D. J. Singh and M. D. Johannes and L. Balicas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1408},
year = {2010}
}
备注
22 pages, supplementary information inclosed