非超导 BaFe_2P_2 中电子与空穴费米面的嵌套
超导电性
2011-09-12 v1 强关联电子
摘要
我们报告了 BaFe_2P_2 中 de Haas-van Alphen (dHvA) 效应的详细测量结果，该材料是超导系列 BaFe_2(As_{1-x}P_x)_2 的端元。利用高纯度样品，我们能够从所有费米面片上观察到 dHvA 振荡，从而构建出其结构的完整详细图像。结果表明，存在高度翘曲的空穴面部分，这可能是该系列中节点能隙结构的起源。重要的是，我们发现，即使对于这个非超导端元，其中一个空穴面与内部电子面也几乎完美嵌套。这表明，在此系统中，几何嵌套的改善并未驱动随 x 减小而增强的配对强度。
引用
@article{arxiv.1104.0150,
title = {Nesting of electron and hole Fermi surfaces in non-superconducting BaFe_2P_2},
author = {B. J. Arnold and S. Kasahara and A. I. Coldea and T. Terashima and Y. Matsuda and T. Shibauchi and A. Carrington},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.0150},
year = {2011}
}
备注
5 pages