Néel 临界场以上 CeIn3 的费米面
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们报告了在高达 ~90 T 的磁场中对 CeIn3 进行的 de Haas-van Alphen 效应测量，该磁场远高于 Hc ~61 T 的 Néel 临界场。在高磁场极化顺磁极限下观察到了未重构的费米面 a-片，但与压力下低磁场顺磁区域中观察到的相比，其有效质量和费米面体积显著减小。该片层的球状拓扑结构理想地实现了从容纳 f 电子的“大费米面”到 f 电子矩被极化时的“小费米面”的转变。
引用
@article{arxiv.0706.2387,
title = {Fermi surface of CeIn3 above the Neel critical field},
author = {N. Harrison and S. E. Sebastian and C. H. Mielke and A. Paris and M. J. Gordon and C. A. Swenson and D. G. Rickel and M. D. Pacheco and P. F. Ruminer and J. B. Schillig and J. R. Sims and A. H. Lacerda and M. T. Suzuki and H. Harima and T. Ebihara},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2387},
year = {2009}
}
备注
4 pages