空位驱动压缩应变对氮化硼纳米片费米能级的调制
材料科学
2021-09-22 v1
摘要
研究了氮化硼纳米片(BNNS)中压缩应变引起的功函数调制。压缩应变由 30 keV Au 束辐照 BNNS 薄膜而产生。辐照前通过拉曼光谱、紫外-可见光谱对 BNNS 进行表征，其中利用 Tauc 图计算了由商品 hBN 粉末化学合成的 BNNS 的带隙，并利用基于 BNNS 拉曼峰半高全宽(FWHM)的经验关系量化了薄膜上的层数。还拍摄了扫描电子显微镜(SEM)图像，其中可见原始 BNNS 样品的层状结构，以及 BNNS 样品上辐照引起的不规则点状变化。采用 X 射线衍射(XRD)表征 BNNS 样品，显示了对应于(002)晶面的峰，以及峰向高角度偏移，表明 BNNS 中存在压缩应变。最后，利用 SRIM-2013 MC 模拟讨论了 Au 辐照 BNNS 形成压缩应变的可能解释。我们解释了空位在材料中诱导应变，从而降低功函数(WF)。使用扫描开尔文探针显微镜(SKPM)绘制 BNNS 表面功函数图，结果表明 WF 随离子剂量增加而降低。还利用功函数值计算了应变值，结果与 XRD 结果定性一致。
引用
@article{arxiv.2101.00893,
title = {Fermi Level Modulation of Boron Nitride Nanosheets by Vacancy Driven Compressive Strain},
author = {Tanmay Mahanta and Tanuja Mohanty},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.00893},
year = {2021}
}