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基于第一性原理有效哈密顿量的铁电薄膜电容器快速分子动力学模拟

材料科学 2009-12-17 v3

摘要

将新开发的快速分子动力学方法应用于具有短路电极或外加电压的 BaTiO3 铁电薄膜电容器。基于第一性原理有效哈密顿量的分子动力学模拟阐明,铁电体与电极之间的死层(或钝化层)显著影响电容器性能,并预测系统在低温下无法在均匀极化铁电结构与条纹状铁电畴结构之间跃迁。此外,还模拟了薄膜电容器的电滞回线,并讨论了其对薄膜厚度、外延约束和电极的依赖性。

关键词

引用

@article{arxiv.0804.1853,
  title  = {Fast Molecular-Dynamics Simulation for Ferroelectric Thin-Film Capacitors Using a First-Principles Effective Hamiltonian},
  author = {Takeshi Nishimatsu and Umesh V. Waghmare and Yoshiyuki Kawazoe and David Vanderbilt},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1853},
  year   = {2009}
}

备注

12 figures, 1 table. Submitted to PRB v2->v3: Major changes are underlined in the manuscript. Added new references