采用脉冲激光沉积制备高熵 REBa2Cu3O7-d 薄膜
超导电性
2021-12-14 v1 材料科学
摘要
通过脉冲激光沉积法，在 SrTiO3 衬底上成功制备了具有高熵（HE）RE 位点的 REBa2Cu3O7-d（RE123，RE：稀土）外延薄膜。RE 位点固溶一至五种 RE 元素，导致混合构型熵（dSmix）增加。通过磁化测量与 Bean 模型分析临界电流密度（Jc），我们发现 HE 薄膜的 Jc 在 T < 20 K 与 H < 7 T 条件下超过 1.0 MA/cm2 一个数量级。由于 HE 效应具有改善辐照耐受性的潜力，本结果鼓舞了面向高磁场与辐照环境（如聚变反应堆）实用化的 HE RE123 超导材料的进一步发展。
引用
@article{arxiv.2112.06378,
title = {Fabrication of high-entropy REBa2Cu3O7-d thin films by pulsed laser deposition},
author = {Aichi Yamashita and Kazuki Hashimoto and Yusuke Nakanishi and Toshihiko Maeda and Yoshikazu Mizuguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.06378},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 4 figures