抗磁场钼铼超导共面波导谐振器的制备与表征

抗磁场超导共面波导（SCPW）谐振器对于开发各类量子比特与量子存储器件集成量子电路至关重要。钼铼（MoRe）是一种无序超导合金，可与石墨烯和碳纳米管（CNTs）形成高透明接触，将成为实现结合石墨烯基与CNT基纳米混合量子比特的场 resilient SCPW谐振器的一个有前景的平台。我们制备了MoRe SCPW谐振器，并研究了其在不同温度与外磁场下的微波传输特性。我们的观察表明，MoRe薄膜厚度是决定SCPW谐振器下临界场、动力学电感和特性阻抗的关键参数，导致品质因数与谐振频率的剧烈变化。结果，对于27 nm厚的MoRe谐振器，我们在平行磁场高达 $B_{||} = 0.15$ T 下获得了 $Q_{i} > 10^{4}$ 的最大值。我们的实验结果表明，MoRe SCPW谐振器可用于集成纳米混合自旋或gatemon量子比特以及开发自旋系综量子存储器件。