由Hall粘滞引起的外禀声子热Hall输运

受近期关于铜氧化物中声子对热Hall效应贡献的实验启发，我们给出手性声子输运的分析。我们假设手性行为源于非零声子Hall粘滞，其可能由与电子的耦合诱导。具有非零声子Hall粘滞的声子有内禀热Hall电导，但Chen等人(Phys. Rev. Lett. 124, 167601 (2020))认为显著更大的热Hall电导可源于外禀贡献，其与杂质密度成反比。我们求解声子输运的玻尔兹曼方程，计算源于点对杂质斜散射的热Hall电导温度($T$)依赖。我们发现热Hall输运的主导源是具有相反宇称的杂质斜散射通道间的干涉。热Hall电导在$d$维低温下$\sim T^{d+2}$，且在$T > T_{\rm imp}$时有$T$无关行为的窗口，其中$T_{\rm imp}$由相反宇称散射势之比决定。我们也考虑样品边界非镜面散射的作用，发现其在低温下对热Hall输运的修正可忽略。