球面六角晶体中位错的源与汇：扩展拓扑缺陷
材料科学
2015-06-18 v2 软凝聚态物质
摘要
本文探讨了由曲率引起的球面六角晶体中的扩展拓扑缺陷 (ETDs)。这些普遍存在的缺陷携带单位总拓扑荷，并被不等边五边形边界所包围。文中考察了 ETDs 与位错之间反应的拓扑特性。类似于常规平面晶体序的边界，ETDs 在不保留其位错荷的情况下发射和吸收位错。位于 ETD 区域内的位错会失去其位错荷，且受迫的 ETD 衰变可以以多种方式进行，而不守恒所发射位错的总 Burgers 矢量。
引用
@article{arxiv.1401.0370,
title = {Extended topological defects as sources and outlets of dislocations in spherical hexagonal crystals},
author = {D. S. Roshal and K. Yu. Petrov and A. E. Myasnikova and S. B. Rochal},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.0370},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1309.7906