锗中移动内禀局域模的实验观测

深能级瞬态谱表明，锗经$\alpha$辐照产生的缺陷可被低能等离子体离子退火，深度可达数千个晶格单位。等离子体离子的能量为 2-8 eV，因此可向锗原子传递几个 eV 量级的能量。最丰富的缺陷被确认为 E 中心，即掺杂剂锑与空位的复合体，我们的测量确定其退火能量为 1.3 eV。该电感耦合等离子体具有极低的密度和极低的离子通量。这意味着离子撞击在时间和半导体表面处几乎是孤立的。我们得出结论，eV 量级的能量能够以局域化的方式在锗中传播很长距离，并有效地传递给缺陷。最可能的候选者是振动非线性波包，即内禀局域模，其存在于有限的能量范围内。这一特性与更高能量的离子在产生退火效应方面效率较低的事实相一致。