环向等离子体中高能电子诱发的 EGAM 及其与 BAEs 和撕裂模的非线性相互作用
等离子体物理
2016-12-09 v1
摘要
本文报道了 HL-2A 欧姆等离子体中由高能电子诱发的 GAM (eEGAM) 的首个实验结果。高能电子是在与撕裂模 (TM) 相关的磁重联过程中由平行电场产生的。eEGAM 局域于核心等离子体，即 q=2 面附近，这与边缘等离子体中由漂移波湍流激发的模式截然不同。分析表明，eEGAM 具有磁场分量，其强度依赖于极向角，且其模数为 jm/nj=2/0。此外，eEGAM、BAEs 与强撕裂模 (TMs) 之间存在强烈的非线性相互作用。这些新发现阐明了低频 (LF) 阿尔芬波和声波涨落激发背后的物理机制。
引用
@article{arxiv.1203.4679,
title = {EGAM Induced by Energetic-electrons and Nonlinear Interactions among EGAM, BAEs and Tearing Modes in a Toroidal Plasma},
author = {W. Chen and X. T. Ding and L. M. Yu and X. Q. Ji and J. Q. Dong and Q. W. Yang and Yi. Liu and L. W. Yan and Y. Zhou and W. Li and X. M. Song and S. Y. Chen and J. Cheng and Z. B. Shi and X. R. Duan and HL-2A team},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4679},
year = {2016}
}
备注
5 pages,4 figures