纤锌矿 $n$-GaN:Si 中 Rashba 自旋轨道耦合的实验测定
介观与纳米尺度物理
2014-05-06 v3 材料科学
摘要
对通过金属有机气相外延生长在半绝缘 GaN:Mn 缓冲层上的重 掺杂纤锌矿 GaN:Si 薄膜进行了毫开尔文磁输运研究。电导率对磁场和温度的依赖关系用考虑了单电子和多电子自交叉轨迹无序诱导量子干涉的理论进行了解释。确定了 Rashba 参数 meV，并表明在以往对邻近 GaN/(Al,Ga)N 界面电子的研究中，体反演不对称性占优于结构反演不对称性。本文还通过在一系列纤锌矿半导体上比较 的实验值与理论值，作为对当前相对论 ab initio 计算方案的检验。研究发现，具有小能量转移的电子-电子散射是这些系统中低温退相干的成因。
引用
@article{arxiv.1402.6843,
title = {Experimental determination of Rashba spin-orbit coupling in wurtzite $n$-GaN:Si},
author = {W. Stefanowicz and R. Adhikari and T. Andrearczyk and B. Faina and M. Sawicki and J. A. Majewski and T. Dietl and A. Bonanni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6843},
year = {2014}
}
备注
the version after the revision process