锐钛矿TiO2电子结构的实验表征：热电功率调制
材料科学
2010-11-02 v1
摘要
研究了锐钛矿TiO2外延薄膜(n3D: 1E17-1E21 /cm3)的热电功率(S)以及基于TiO2薄膜的薄膜晶体管(TFT)的S对栅极电压(Vg)的依赖性，以阐明导带底附近的电子态密度(DOS)。|S|-log n3D图的斜率为-20 μV/K，比半导体的斜率(-198 μV/K)小一个数量级，并且TFT的|S|值在低Vg区域随Vg增加而增加，这表明额外的尾态与原始导带底发生了杂化。
引用
@article{arxiv.1009.0400,
title = {Experimental characterization of the electronic structure of anatase TiO2: Thermopower modulation},
author = {Yuki Nagao and Akira Yoshikawa and Kunihito Koumoto and Takeharu Kato and Yuichi Ikuhara and Hiromichi Ohta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0400},
year = {2010}
}
备注
11 pages, 4 figures