嵌入可调微腔的范德瓦耳斯异质结构中的激子-极化激元
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v1
摘要
层状材料可垂直组装以制备一类新型范德瓦耳斯（VDW）异质结构，其厚度为数个原子层，兼容多种衬底和光电子器件几何结构，从而为控制光-物质耦合提供了新策略。在此，我们将二硒化钼/氮化硼（MoSe/hBN）量子阱（QWs）嵌入可调光学微腔中。由于 MoSe 激子与腔光子的强耦合，观察到半光半物质的极化激元本征态，其证据为中性激子与腔模之间出现明显的反交叉，对于单个 MoSe 单层量子阱分裂为 20 meV，在 MoSe/hBN/MoSe 双量子阱中增强至 29 meV。共振处的分裂给出激子辐射寿命约为 0.4 ps 的估计。我们的结果为基于多量子阱 VDW 异质结构的室温极化激元器件铺平了道路，其中通过引入石墨烯接触可实现极化激元凝聚和电注入极化激元。
引用
@article{arxiv.1505.04438,
title = {Exciton-polaritons in van der Waals heterostructures embedded in tunable microcavities},
author = {S. Dufferwiel and S. Schwarz and F. Withers and A. A. P. Trichet and F. Li and M. Sich and O. Del Pozo-Zamudio and C. Clark and A. Nalitov and D. D. Solnyshkov and G. Malpuech and K. S. Novoselov and J. M. Smith and M. S. Skolnick and D. N. Krizhanovskii and A. I. Tartakovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.04438},
year = {2015}
}