二维晶体中 p-i-n 结上的激子局域化
介观与纳米尺度物理
2022-08-30 v2
摘要
我们考虑使用变分方法处理有效质量哈密顿量，来研究定义在二维晶体（MoSe 和黑磷）中的模型 p-i-n 结上局域化的中性激子。结处非均匀电场阻止了质心的分离。变分解给出了实空间中的激子密度，并考虑了由激子局域化引起的动能。对于跨结电势阶跃较小的情况，激子占据的区域远大于结的标称范围，且能量基本对阶跃值不敏感。激子在结区内的局域化伴随着由局域电场诱导的偶极矩的出现。仅当阶跃足够大时，偶极矩才成为电势阶跃的线性函数。因此，能量对阶跃值的依赖是非抛物线的。我们证明，激子并非精确局域在结的中心，而是局域在对于较重载流子（电子或空穴）能量更有利的哪一侧。
引用
@article{arxiv.2207.14051,
title = {Exciton localization on p-i-n junctions in two-dimensional crystals},
author = {B. Szafran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.14051},
year = {2022}
}