Si 量子点中的激发态弛豫与 Franck-Condon 位移
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
分子中的激发态弛豫导致吸收峰相对于发射峰发生红移 (Franck-Condon 位移)。半导体量子点中这种位移的大小仍属未知。在此，我们报告了对小尺寸 (直径 < 2.2 nm) Si 纳米晶中激发态弛豫的第一性原理计算，结果表明 Franck-Condon 位移出乎意料地大 (对于直径 2.2 nm 的纳米晶约为 60 meV)。激发态弛豫的物理机制在尺寸约为 1 纳米处发生突变，为“分子”与“纳米晶”之间提供了清晰的界限。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209626,
title = {Excited-state relaxations and Franck-Condon shift in Si quantum dots},
author = {A. Franceschetti and S. T. Pantelides},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209626},
year = {2009}
}