硅纳米结构中从多光子到光场光发射转变的研究
介观与纳米尺度物理
2017-08-18 v1 光学
摘要
我们对 n 型掺杂单晶硅纳米尖端从多光子到光场光发射的转变进行了详细的实验和理论研究。在该转变附近，我们测量到了增强的发射率，以及来自被照射纳米结构的光电子产率中依赖于强度的结构。通过数值求解含时薛定谔方程（TDSE），我们证明了过剩发射源于硅表面附近驻波电子波包的积累，而该转变中依赖于强度的结构是由增加的质动力势和通道关闭效应引起的。通过含时微扰理论（TDPT），我们进一步表明，依赖于强度的结构的可见性、从多光子到光场发射的转变速率以及高强度下的标度速率，均与导带附近窄基态能带主导硅中发射过程这一结论相一致。这些结果突出了在解释固体的强场光发射时，同时考虑发射体表面的相干电子波包动力学和基态能量分布的重要性。
引用
@article{arxiv.1708.05265,
title = {Examining the Transition from Multiphoton to Optical-Field Photoemission From Silicon Nanostructures},
author = {Phillip D. Keathley and William P. Putnam and Guillaume Laurent and Luis F. Velásquez-García and Franz X. Kärtner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.05265},
year = {2017}
}