强耦合t-V模型的精确解：扭曲边界条件
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
我们给出了在强耦合极限()下，具有扭曲边界条件的二维t-V模型的解，证明该模型可映射到由总动量与电荷载流子数成比例的虚构通量所扰动的强耦合 Hubbard链。高能本征态由与孤子域与反孤子域配置相关的自由度以及与这些域内“空洞”运动相关的自由度所特征化。孤子与反孤子的共存导致本征值的奇异flux依赖性。我们展示了该解的应用，推导了在半填态()且零温下的光学电导的完整频率依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0007465,
title = {Exact Solution of the strong coupling t-V model with twisted boundary conditions},
author = {R. G. Dias},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0007465},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 1 figure; to be published in Physical Review B