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用于固定电子数下计算基本带隙的精确交换关联势

材料科学 2021-01-14 v3

摘要

在 Kohn-Sham (KS) 密度泛函理论 (DFT) 中,通过精确交换关联 (xc) 势中 Δ\Delta 的不连续偏移由 KS 带隙 εg\varepsilon_\mathrm{g} 计算基本带隙 EgE_\mathrm{g} 的标准方案为 Eg=εg+ΔE_\mathrm{g} = \varepsilon_\mathrm{g} + \Delta,然而现有近似均不含此不连续性。系综 DFT 的“NN-中心”表述人为地维持总电子数 NN,从而不是通过 xc 势中的不连续偏移、而是通过 xc 能量的系综权重导数来给出 EgE_\mathrm{g}。在 NN-中心方法内,我们计算了一维有限系统的精确 xc 势,并解析地表明 Δ\Delta 实际上可解释为精确 NN-中心系综 xc 势中的不连续偏移,从而将无电荷激发的一个精确性质推广至带电激发。我们表明,在此背景下应用 Levy-Zahariev “势中偏移”过程将该不连续偏移移至系统不重要的边缘,使得精确 xc 势实际上无不连续性,因此局域泛函无法捕捉不连续行为这一点无关紧要。

关键词

引用

@article{arxiv.2010.05642,
  title  = {Exact exchange-correlation potentials for calculating the fundamental gap with a fixed number of electrons},
  author = {M. J. P. Hodgson and J. Wetherell and Emmanuel Fromager},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2010.05642},
  year   = {2021}
}

备注

10 pages, 9 Figures, two videos in the Supplemental Material