半导体中局部激发雪崩的演化
量子物理
2010-07-27 v2 材料科学
仪器与探测器
摘要
我们表明，半导体雪崩光电二极管在雪崩的早期演化过程中可以表现出极小的放大噪声。该噪声极低，以至于可以分辨出作为每次雪崩种子的局部激发电荷数。这些发现构成了实现固态无噪声放大器的重要第一步。此外，我们相信所使用的实验装置，即时间分辨局部激发雪崩，将成为优化数量分辨的有用工具。
引用
@article{arxiv.1003.0919,
title = {Evolution of locally excited avalanches in semiconductors},
author = {Z. L. Yuan and J. F. Dynes and A. W. Sharpe and A. J. Shields},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.0919},
year = {2010}
}