Scifaro

中文

2H-NbSe₂单晶在峰效应区域跨越双峰结构的演化

超导电性 2007-05-23 v2 统计力学

作者: A. D. Thakur , T. V. Chandrasekhar Rao , S. Uji , T. Terashima , M. J. Higgins , S. Ramakrishnan , A. K. Grover

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

我们探索了在few个弱钉扎的2H-NbSe₂单晶中， ac 电导率数据和磁化抗洞测量中是否存在跨越峰效应(PE)区域的双峰特征，所考察的场温范围较宽,其在T_c(0)附近显示出再入特性.我们认为,双峰特征在随机钉扎逐渐增强时会演化为与PE清晰分离的第二磁化峰异常.

关键词

峰效应交流磁导率磁化抗洞 NbSe₂ 再入行为

引用

@article{arxiv.cond-mat/0602382,
  title  = {Evolution in the split-peak structure across the Peak Effect region in single crystals of $2H$-NbSe$_2$},
  author = {A. D. Thakur and T. V. Chandrasekhar Rao and S. Uji and T. Terashima and M. J. Higgins and S. Ramakrishnan and A. K. Grover},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602382},
  year   = {2007}
}

备注

9 figures