部分纳米图案化2H-NbSe2单晶中从弱钉扎到强钉扎的驱动交叉
超导电性
2012-01-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过对部分纳米图案化的2H-NbSe2单晶中涡旋态的非均匀钉扎性质的研究，揭示了一种显著依赖于驱动的非典型磁化响应。对磁化响应的分析显示，磁化弛豫率随磁场扫描速率的变化呈现非单调行为。当所有图案化的钉扎中心被涡旋饱和时，我们发现涡旋所经历的钉扎力随着驱动的增加而持续增大。我们的研究揭示了一种非传统的动态弱钉扎到强钉扎的交叉，其中涡旋态的流动在通过图案化钉扎晶格中的间隙空隙时受到更强的驱动而似乎被阻碍或堵塞。
引用
@article{arxiv.1005.5641,
title = {Driven weak to strong pinning crossover in partially nanopatterned 2H-NbSe2 single crystal},
author = {Gorky Shaw and Jaivardhan Sinha and Shyam Mohan and S. S. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.5641},
year = {2012}
}
备注
15 pages with 5 figures