窄HgTe量子阱中边缘电流宏观长度尺度自旋相干的证据
介观与纳米尺度物理
2015-11-09 v1
摘要
我们通过实验研究了放置在具有能带反转的二维电子系统边缘的两个铁磁接触之间的自旋极化电子输运。该系统在窄(8~nm) HgTe量子阱中实现，铁磁侧接触由预磁化的坡莫合金薄膜形成。在零磁场下，我们发现边缘电流对两个铁磁接触间的输运有显著贡献。我们通过实验证明，该输运对相距200~m的两个铁磁引线磁化方向的相互取向敏感。这是宏观距离上自旋相干边缘输运的直接实验证据。因此，自旋在具有能带反转的二维电子系统边缘极其稳健，证实了边缘电流的螺旋自旋分辨性质。
引用
@article{arxiv.1505.04535,
title = {Evidence on the macroscopic length scale spin coherence for the edge currents in a narrow HgTe quantum well},
author = {A. Kononov and S. V. Egorov and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and S. A. Dvoretsky and E. V. Deviatov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.04535},
year = {2015}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:1410.0585