Bernal石墨窄带隙半导体行为的证据
材料科学
2015-05-28 v3 超导电性
摘要
我们研究了大量高取向石墨样品的电阻率，其面积从几mm^2到几μm^2不等，厚度从约10 nm到几十微米。测得的电阻可由低载流子密度（< 10^9 cm^{-2}）的半导体性石墨烯层与类金属内部界面的并联贡献来解释。结果表明，具有Bernal堆垛结构的理想石墨是一种窄带隙半导体，其能隙E_g约为40 meV。
引用
@article{arxiv.1106.0437,
title = {Evidence for semiconducting behavior with a narrow band gap of Bernal graphite},
author = {N. García and P. Esquinazi and J. Barzola-Quiquia and S. Dusari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0437},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 4 Figures, to be published in New Journal of Physics (in press, 2012)