暴露于He与He-O2常压后放电的聚四氟乙烯表面蚀刻过程
等离子体物理
2016-05-02 v1
摘要
本文介绍了常压He和He-O2等离子体后放电处理聚四氟乙烯(PTFE)表面的比较研究。将处理后的PTFE表面表征与表面改性中涉及的物种相关联。在纯He等离子体中，尽管记录到显著的质量损失，但通过X射线光电子能谱(XPS)、动态水接触角(dWCA)和原子力显微镜(AFM)未观察到表面的明显变化。根据这些观察，提出了一种无优先取向的逐层物理蚀刻，其中高能量氦亚稳态是引起--(CF2)n--链断裂的主要物种。在He-O2等离子体中，随着氦亚稳态密度随氧流速增加而降低，处理导致从PTFE表面射出的物种减少（与质量损失测量和在铝箔上检测到的氟化物种一致）。然而，dWCA和AFM测量显示表面疏水性和粗糙度增加。观察到的肺泡状结构被认为是由各向异性蚀刻引起的，其中氧原子主要蚀刻非晶相。
引用
@article{arxiv.1604.08815,
title = {Etching Processes of Polytetrafluoroethylene Surfaces Exposed to He and He-O2 Atmospheric Post-discharges},
author = {J Hubert and Thierry Dufour and Nicolas Vandencasteele and Simon Desbief and Roberto Lazzaroni and F Reniers},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08815},
year = {2016}
}