多铁Mott绝缘体Bi2FeCrO6中空穴掺杂诱导相的外延应变调控
材料科学
2019-09-11 v2
摘要
外延应变已被证明可在钙钛矿基薄膜中驱动结构相变并伴随新颖功能。A位异价掺杂可在钙钛矿中驱动绝缘体-金属和磁相变，以及多种有趣的结构与电子现象。利用第一性原理计算，我们在此展示了在多铁双钙钛矿Bi2FeCrO6中，如何将外延应变与A位空穴掺杂耦合，从而缓解该材料薄膜中反位缺陷和磁化降低相关问题。我们还表明，外延应变可用于调控掺杂产生的空穴态，以诱导半金属到绝缘体、反极到极性、反铁磁到铁磁、轨道有序和电荷有序相变。我们还预测了具有大磁矩的半金属极性相的形成，这可能具有巨大的基础和技术意义。
引用
@article{arxiv.1807.01649,
title = {Epitaxial strain control of hole-doping induced phases in a multiferroic Mott insulator Bi2FeCrO6},
author = {Paresh Chandra Rout and Varadharajan Srinivasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.01649},
year = {2019}
}