受挫锗基尖晶石薄膜的外延稳定化
强关联电子
2021-06-30 v3
摘要
受挫磁体可承载众多奇异的多体量子与拓扑现象。GeNiO 是一种三维 受挫磁体，具有向二维反铁磁基态反常的两阶段转变；而 GeCuO 是一种高压相，具有强四方拉长尖晶石结构，其磁晶格由 的 CuO 线性链构成，具有受挫交换相互作用与奇异磁行为。本文报道了这两种化合物的首次薄膜外延稳定化。所发展的生长模式、表面形貌、晶体结构与铜价态通过原位反射高能电子衍射、原子力显微镜、X 射线反射率、X 射线衍射、X 射线光电子能谱与共振 X 射线吸收谱进行了表征。我们的结果为全面研究这些化合物令人困惑的磁性质以及探索由应变驱动的新颖涌现特性铺就了一条替代途径。
引用
@article{arxiv.1907.07785,
title = {Epitaxial stabilization of thin films of the frustrated Ge-based spinels},
author = {Denis M. Vasiukov and Mikhail Kareev and Fangdi Wen and Liang Wu and Padraic Shafer and Elke Arenholz and Xiaoran Liu and Jak Chakhalian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.07785},
year = {2021}
}